SANTA CLARA, USA 7. prosince 2005 – Společnost Intel představila prototyp nového, ultra-rychlého a přitom energeticky velmi nenáročného tranzistoru z nového materiálu, který se může stát základem mikroprocesorů a dalších integrovaných obvodů ve druhé polovině příštího desetiletí.
Vědci společností Intel a QinetiQ společně představili nový tranzistor, který k vedení elektrického proudu používá indium antimonid (chemický symbol: InSb). Tranzistory v čipu řídí tok informací, resp. elektrického proudu. Nový prototyp tranzistoru je mnohem rychlejší a potřebuje méně energie, než dříve vyvinuté tranzistory. Společnost Intel odhaduje, že kombinací křemíku a nového materiálu se opět podaří prodloužit platnost Moorova zákona.
Významné úspory energie na úrovni tranzistorů, doplněné značným nárůstem výkonu mohou hrát klíčovou roli ve vývoji nových platforem počítačů, které uživatelům přinesou širší možnosti a nové funkce. Výrazně nižší spotřeba energie, a tím i snížení vyzařovaného tepla, může značně prodloužit provoz baterií pro mobilní produkty a umožnit výrobu ještě menších a výkonnějších zařízení.
„Výstupy výzkumných aktivit podporují naše přesvědčení, že se podaří postupovat podle Moorova zákona i po roce 2015. Předpokládáme, že stejně jako ostatní technické novinky společnosti Intel, i tyto nové materiály přispějí k dalšímu vývoji polovodičů založených na křemíku,“ uvedl Ken David, ředitel vývoje komponent Technology and Manufacturing Group společnosti Intel. „Nový materiál zajišťuje o 50 procent vyšší výkon a zhruba 10krát nižší spotřebu, což nám otevírá široké možnosti k optimalizaci budoucích platforem, jak z hlediska výkonu, tak i spotřeby.“
Materiál InSb patří k polovodičovým sloučeninám třídy III-V, které se v současnosti používají u speciálních integrovaných obvodů, jako jsou zesilovače radiových vln, mikrovlnná zařízení a polovodičové lasery.
Vědci společností Intel a QinetiQ již dříve představili tranzistory s InSb kanály.
Ve srovnání s nimi jsou nynější prototypy s hradlem o délce 85 nm o více než polovinu menší, a stávají se tak zcela nejmenšími tranzistory tohoto typu. Včera byly nové tranzistory poprvé představeny v provozu. Tranzistory obohaceného typu (enhancement mode) se nejčastěji používají právě v procesorech a dalších logických obvodech. Nové tranzistory pracují s nižším napětím, kolem 0,5 voltu – to je zhruba polovina toho, co potřebují tranzistory v dnešních čipech – což znamená, že čipy mají celkově výrazně nižší spotřebu energie.
„Tento výzkum je jedinečným příkladem toho, jak QinetiQ ve spolupráci s předními světovými společnostmi, jako je Intel, zaměřuje technologický výzkum do oblastí s komerčním potenciálem,“ uvedl Tim Phillips, obchodní ředitel skupiny Fast Transistors společnosti QinetiQ.
Podrobnosti, včetně dokumentu s popisem dosažených pokroků, byly zveřejněny v rámci konference IEDM, která se konala 5. – 7. prosince ve Washingtonu, D.C. Oficiální název dokumentu zní „85nm Gate Length Enhancement and Depletion mode InSb Quantum Well Transistors for Ultra High Speed and Very Low Power Digital Logic Applications”.
Společnost Intel je největším světovým výrobcem mikroprocesorů, a zároveň je předním výrobcem počítačových, síťových a komunikačních produktů.
Podrobné informace o společnosti Intel jsou k dispozici na www.intel.com/pressroom nebo www.intel.com/cz/pressroom.
