V oblasti pamětí je k dispozici mnoho různých technologií a ve vývoji jich je ještě více. Jednou nadějnou je i takzvaná PCM (Phase Change Memory) paměť, která dosahuje vysoké rychlosti zápisu i čtení dat, zároveň však dokáže uchovat data i po odpojení elektrické energie.
Oproti technologii flash má také výrazně lepší výdrž, zvládne totiž až 10 milionů přepsání, zatímco NAND flash čipy typu SLC mají i v profesionálním segmentu maximum v desítkách tisíc přepsání. Levnější MLC čipy pak pouze v řádu tisíců.
Vědcům z IBM se tak poprvé podařilo vytvořit vícebitovou PCM (zatím 90nm, 2 bity na buňku – 00/01/10/11), která je schopná obstát v náročném podnikovém segmentu, kde je důležitá především výdrž a spolehlivost. Podle IBM je možné dosáhnout 100× vyšších rychlostí, než u současných flash pamětí. To by představovalo i lepší parametry než u operačních pamětí.
V budoucnu bychom tak mohli mít zařízení, která budou okamžitě spuštěná, žádné zdlouhavé nahrávání do operační paměti. Zda nakonec zvítězí právě tato technologie, to se dozvíme až za několik let.