Společnost Samsung oficiálně představila nový druh pamětí NAND flash, které mají vertikální trojrozměrnou strukturu.
Samsung 3D Vertical NAND flash (V-NAND) mají v rámci jednoho vertikálního čipu založeného na technologii 3D Charge Trap Flash (CTF) kapacitu 16 GB. Díky tomu je schopen Samsung dosáhnout mnohem lepších parametrů, než u běžných čipů s 20nm tranzistory.
Nové čipy 3D V-NAND flash mají nejen několikanásobně vyšší výdrž (Samsung uvádí dvakrát až desetkrát), ale poskytují i dvakrát vyšší rychlost při zápisu než u současných čipů.
Terabitové čipy se blíží, budou mít trojrozměrnou strukturu
Vertikální spojení může mít až 24 samostatných vrstev (čipů), což povede k rychlejšímu nasazení čipů s vyšší kapacitou a malou velikostí (stovky gigabajtů v jednom kusu křemíku).
Samsung se pochlubil, že má více 300 čekajících patentů v oblasti 3D pamětí, takže se jistě můžeme těšit i na další rychlý rozvoj levných a rychlých pamětí.
