Z nanometrů na angstomy. Ve vývoji a výrobě polovodičů je revoluce na spadnutí

U výroby výkonných polovodičů se často zmiňuje Moorův zákon, který říká, že se každé dva roky zdvojnásobí počet tranzistorů třeba v procesoru nebo na grafické kartě. Nálada v odborné společnosti se však mění a neustále se objevují otázky, zda tento princip ještě platí. Pokrok ve výrobních technologiích za poslední roky zpomalil a aktuální technicky vyspělé procesy se velmi těžko nadále vylepšují.

Častým měřítkem výrobní technologie je počet nanometrů, tedy „velikost tranzistoru“. Uvozovky jsou na místě, neboť změřit plochý tranzistor šlo velmi jednoduše, ale po zavedení 3D tranzistorů v roce 2011 spolu s technologií FinFET se z měřitelného údaje stal marketingový nástroj. Tato čísla sice mají jistou relevanci, ale rozhodně nelze ztotožňovat 5nm výrobní proces od Intelu s tím od TSMC nebo Samsungu.

Nyní se však postupně dostáváme z řádů nanometrů na angstromy, které se značí písmenem A v názvu výrobního procesoru. Takže namísto označení 2 nm už může výrobce použít ekvivalentní 20A. Rozměry tranzistoru udávané jedním číslem jsou však nepřesné a mimo to se v následujících letech odehrají mnohem zajímavější změny než pouhé další zmenšování tranzistorů.

Fotolitografie a napájení

Fotolitografie představuje vytváření vnitřních struktur čipu pomocí laserů, dlouho se používala technologie hlubokého ultrafialového spektra (DUV), ta je ovšem na ústupu. Nastupuje Extrémní ultrafialová fotolitografie (EUV), která je potřebná pro tvorbu ještě drobnější vnitřní struktury. Intel na ni přešel až v půlce roku 2022, tedy několik let po TSMC.