Nedávno jsme informovali o tom, že TSMC by mělo už od září spustit hromadnou výrobu prvních 3nm čipů. Půjde o výrobní proces označovaný jako „N3“, avšak nyní se objevily velmi pozitivní zprávy o vylepšeném „N3E“, který měl původně dorazit přibližně za rok od spuštění N3.
Dle uniklých informací z prezentace TSMC (HS Kuo) jde ale vývoj výrobního procesu N3E (N3 Enhanced) nad očekávání dobře a výtěžnost je mnohem lepší, než se v této fázi předpokládalo, takže dostupnost pro hromadnou výrobu bude dříve, než za rok.
Vývoj výrobního procesu N3E v porovnání s N5 (Zdroj: TSMC, Tom's Hardware)
Na grafu se můžete podívat na srovnání vývoje procesu N5 a N3E, kdy je na tom z pohledu času N3E dvakrát lépe a výtěžnost testovacích 256Mb čipů SRAM i složitějších čipů je už nyní na vysoké úrovni přes 80 %. Právě výtěžnost určuje, kolik se na waferu objeví zmetků neboli čipů, které nejsou použitelné.
Proces |
Denzita |
Výkon |
Spotřeba |
Sériová výroba |
N7 (DUV) |
+70 % oproti 16FF+ |
+30 % oproti 16FF+ |
−60 % oproti 16FF+ |
Q2 2018 |
N7P (DUV) |
jako N7 |
+7 % oproti N7 |
−10 % oproti N7 |
? 2019 |
N7+ (EUV) |
+17 % oproti N7 |
+10 % oproti N7 |
−15 % oproti N7 |
Q2 2019 |
N6 |
+18 % oproti N7 |
jako N7 |
jako N7 |
Q1 2020 |
N5 |
+80 % oproti N7 |
+15 % oproti N7 |
−30 % oproti N7 |
Q2 2020 |
N5P |
jako N5 |
+7 % oproti N5 |
−10 % oproti N5 |
? 2021 |
N4 |
+6 % oproti N5 |
jako N5 |
jako N5 |
? 2022 |
N4P |
+6 % oproti N5 |
+ 11 % oproti N5 |
−22 % oproti N5 |
? 2023 |
N4X |
? |
+ 15 % oproti N5 |
? |
? 2023 |
N3 |
+70 % oproti N5 |
+15 % oproti N5 |
−30 % oproti N5 |
H2 2022 |
N3E |
+60 % oproti N5 |
+18 % oproti N5 |
−34 % oproti N5 |
Q2 2023 |
N3P |
? |
? |
? |
? 2024 |
N3S |
? |
? |
? |
? 2024 |
N3X |
? |
? |
? |
? 2024 |
N2 |
? |
+15 % oproti N3E |
−30 % oproti N3E |
? 2025 |
Proces N3E sice bude mít o něco menší hustotu tranzistorů než N3, ale nabídne o pár procent vyšší frekvence a o pár procent nižší spotřebu. Je tak ideální například pro mobilní čipy a podobně, kde jsou menší čipy a úspora energie je důležitější.