Větší, rychlejší a levnější. Samsung udělal důležitý krok k nové generaci SSD

Samsung odstartoval sériovou výrobu 9. generace vrstvých NAND pamětí, které přinesou vyšší rychlosti i kapacity SSD, případně nižší ceny při zachování současných kapacit. Za 11 let vývoje se posunul z 24 vrstev na současných 290.

To je mezi výrobci zatím rekordní hodnota. Vzorky 321vrstvých čipů už sice ukazoval jeho korejský rival SK Hynix, avšak ten spustí sériovou výrobu až za rok. A to už Samsung nejspíš bude také dokončovat další generaci. Firma očekává, že do roku 2030 pokoří hranici 1000 vrstev. To je velmi ambiciózní plán vzhledem k tomu, že uvedení nové generace trvá přibližně rok a půl a nové čipy se neposouvají po stovkách vrstev.

Ceny SSD stále rostou a podle analytiků bude ještě hůř

Tak či onak se Samsung chlubí, že našel cestu, jak přidávat další „patra“ i do budoucna. Vyrobil nejmenší paměťové buňky na světě, do stejného objemu se jich vejde o 50 % víc než v předchozí generaci. Zlepšil jejich izolaci a zvýšil životnost. Jednotlivé vrstvy jsou díky tomu tenčí a vertikální datové i energetické kanály efektivnější.

Nová technologie vyústila v 1Tb čipy typu TLC, ke kterým se ve druhé polovině roku přidají ještě QLC. Samsung také zvýšil rychlost z 2,4 na 3,2 Gb/s, přičemž spotřeba klesla o 10 %.

V nadcházejících měsících pak Samsung zřejmě oznámí i své první opravdu rychlé SSD pro rozhraní PCIe 5.0. Řada 990 EVO už jej sice používá, ale jen plýtvá potenciálem. Nové čipy jsou ale nadějnější. Na SSD se jich obvykle štosuje v jednom pouzdře až 16. Jeden „šváb“ tak může mít 2 TB a propustnost 6,4 GB/s. K řadiči se pak takové připojí dva nebo čtyři.

Generace V-NAND čipů od Samsungu