Rambus už před několika měsíci zveřejnil specifikace nové generace rychlých pamětí HBM3 a společnost Synopsys je mezi prvními, kdo má hotový design a kompletní řešení pro pokročilou výrobu.
Synopsys při návrhu řešení vycházela již ze stávající ověřené architektury pro 5nm HBM2E, v tomto případě jde tedy opět o 5nm výrobu, ale s rychlejšími paměťmi HBM3 s propustností až 921 GB/s (7,2 Gb/s na pin) a maximální kapacitou 64 GB.
Řešení je určeno pro čipy SoC (System On Chip) pro konstrukci typu 2.5D, která umožňuje spojit výpočetní i paměťovou část s 1024bitových rozhraním do jednoho balení. Se čtyřmi čipy HBM3 lze tak například dosáhnout v rámci hlavního čipu paměťové propustnosti až 3,68 TB/s.
Specifikace HBM
| |
HBM |
HBM2v1 |
HBM2v2 |
HBM2v3 |
HBM2E |
HBM3 |
| Kapacita vrstvy |
2 Gb |
8 Gb |
16 Gb |
16 Gb |
16 Gb |
32 Gb |
| Max. počet vrstev |
4 |
8 |
12 |
12 |
8 |
16 |
| Max. kapacita čipu |
1 GB |
8 GB |
24 GB |
24 GB |
16 GB |
64 GB |
| Max. propustnost čipu |
128 GB/s |
256 GB/s |
307 GB/s |
410 GB/s |
460 GB/s |
1 075 GB/s |
Řešení obsahuje i řadič pro HBM3 s podporou ECC a také potřebné nástroje pro vývojáře, včetně 3DIC Compileru pro rychlejší implementaci a návrh komunikačního propojení. Paměti HBM3 mají i výhodu v energetické efektivitě, která je až o 60 % lepší než u HBM2E.