Test DDR2 s nižším časováním: frekvence nebo časování

V dnešním testu srovnáme osm 2GB kitů DDR2-800 s nízkým časováním od GeIL, OCZ, Kingston, A-DATA, Corsair či G.Skill.

Pro většinu dnešních aplikací si bez jakýchkoli problémů vystačíte se dvěma gigabajty operační paměti. Jak však tyto moduly mají být rychlé a co jejich rychlost ovlivňuje?

Pokud se podíváte do ceníků prodejců pamětí, zjistíte, že cenový rozdíl mezi 800MHz moduly je v mnoha případech téměř zanedbatelný. Cenu však zvyšuje nejen použití tzv. heat spreaderu, nebo-li rozvaděče tepla z paměťových čipů, ale i časování. Logicky tak následuje otázka, jestli se vyplatí koupit paměti s nižším časováním nebo vyšší frekvencí. Odpověď není bohužel tak jednoznačná, jak by se mohlo zdát. Paměti pracující na frekvenci 800 MHz s nízkým časováním lze většinou velmi dobře přetaktovat – můžete si být téměř jisti, že stabilně poběží i na 1 066 MHz. Na druhou stranu, pokud se rozhodnete je ponechat na základní frekvenci, podají téměř stejný výkon, jako moduly na frekvenci 1 066 MHz s horším časováním. Více možná napoví některé grafy.

Základní frekvence a hry

Klepněte pro větší obrázek 

Výsledky ve hrách nejsou velkou měrou ovlivňovány rychlostí paměťových modulů ani jejich časováním. Pokud jste vášniví hráči, jistě budete taktovat většinu komponent v počítači za účelem co nejplynulejšího chodu her. I z tohoto grafu je však patrné, že 800MHz paměti G.Skill s časováním 4-4-4-12 jsou ve výsledcích zhruba uprostřed mezi dvojicí testovaných Patriotů.

Přetaktování a hry

Klepněte pro větší obrázek 

Vlivem přetaktování jednotlivých modulů se poměrně srovnal celkový výsledek – paměti jsou nyní taktovány na téměř stejné frekvence a stejné časování. Pokud tedy koupíte kvalitnější paměti s úmyslem je přetatovat, výhodu nízkého časovaní ztratíte. Rozdíl mezi přetaktovanou pamětí G.Skill a nepřetaktovaným 1 066 MHz Patriotem byl však stále trochu znát.

Základní frekvence a aplikace

Klepněte pro větší obrázek 

Na rozdíl od herních testů můžeme u aplikací pozorovat změnu mezi jednotlivými dvojicemi modulů. Hned u paměťového testu v PCMarku05 je výsledný rozdíl mezi prvním a posledním nezanedbatelných 200 bodů. Dalším velmi zajímavým jevem je vliv časování a frekvence na latenci pamětí. Paměť o frekvenci 800 MHz a časováním 4-4-4-12 dosáhla nižší latence, než moduly taktované na 1 066 MHz s časováním 5-5-5-12. Největší rozdíl ve výkonu pamětí ukazuje test v programu WinRar 3.70, kde je zcela zřetelně ukázán rozdíl mezi jednotlivými frekvencemi.

Přetaktování a aplikace

Klepněte pro větší obrázek 

Přetaktováním modulů, stejně jako ve hrách, srovnáte jejich výsledky s ostatními kolegy. Skóre už záleží jen na výsledné frekvenci. O mírné překvapení se postaraly paměti G.Skill, které v některých testech opakovaně překonaly výše taktované moduly. Vděčí za to nižší latenci.

Jak to tedy je?

Pokud zvažujete koupi nových pamětí z řad DDR2 a nemáte přitom hluboko do kapsy, vyberte si dle získaného bodového ohodnocení favorita své finanční kategorie. S žádným modulem z tohoto testu určitě nešlápnete vedle. Jestliže máte navíc základní desku uzpůsobenou k přetaktování, klidně jim dejte patřičně zabrat; odmění se vám vyšším výkonem. Přesto bychom však než nižší latenci dali přednost vyšší hodnotě frekvence už z toho důvodu, že vyšší rozpětí frekvence můžete využít například u procesorů z řady Core 2 Duo, které mají vysoké FSB a bez desky podporující tzv. oddělené (unlinked) taktování pamětí a procesoru byste s málo výkonnými paměťmi nedosáhli uspokojivého výsledku.

Slovníček

CAS Latency (tCL) – vyjadřuje zpoždění mezi příchodem a vybavením požadavku od procesoru
Internal Write to Read Command Delay (tWTR) – zpoždění, které je nutné zajistit mezi zápisem a vydáním příkazu pro čtení z paměti
paměťová banka – moderní paměťové čipy jsou rozděleny na části, kterým se říká banky. Každé datové bance je pak přiřazena jiná datová zóna 
RAS to CAS delay (tRCD) – udává zpoždění vzniklé výběrem řádků a adresací sloupce paměti
RAS precharge (tRP) – určuje zpoždění při adresaci jednotlivých řádků v paměti
Refresh interval (tREF) – definuje dobu mezi aktualizací dočasně uložených dat v paměti
Row Active Time (tRAS) – udává dobu trvání přístupu k jednotlivým řádkům paměťového prostoru
Row Active to Row Active Delay (tRRD) – minimální prodleva mezi přechody aktivních paměťových bank
Row Cycle Time (tRC) – specifikuje čas mezi dvěma příkazy tRAS (tRAS + tRP)
Write Recovery Time (tWR) – nastavuje dobu, která musí uplynout po zadání zápisu před tím, než vydáme příkaz Row Precharge

Témata článku: Ručička, Paměťová buňka, Patriot, Only, Doživotní záruka, Dominator, Test paměti, Celkový výsledek, Paměť, Small, DDR, Memory, Nízká teplota, Chladicí výkon, Refresh, TCL, Paměti, Titanium, Delay, Extreme, Přijatelná cena, Random, Minimální prodleva, Test, Sram

Určitě si přečtěte

Budoucností Windows 10 je Fluent Design. Takto bude jednou vypadat celý systém

Budoucností Windows 10 je Fluent Design. Takto bude jednou vypadat celý systém

** Fluent Design je vzhled, do kterého postupně Microsoft převleče celý systém ** Staví na průhlednosti a velkých plochách ** Do Windows 10 se z části dostane už zítra při vydání podzimní aktualizace

Včera | Stanislav Janů | 85


Aktuální číslo časopisu Computer

Nový seriál o programování elektroniky

Otestovali jsme 17 bezdrátových sluchátek

Jak na nákup vánočních dárků ze zahraničí

4 tankové tiskárny v přímém souboji