Minulý měsíc se Samsung pochlubil novými paměťovými čipy NAND flash, které budou základem nové generace SSD pro různé segmenty. Nyní se k oficiálnímu uvedení dostal i konkurenční SK Hynix.
Nové „4D“ (pro marketing už je 3D málo, jde totiž o 3D CTF – Charge Trap Flash) NAND flash paměti mají 96 vrstev, což umožňuje v rámci TLC (tři bity na buňku) vytvořit čipy s kapacitou 512 Gb, respektive 64 GB. Struktura je kombinována s technologií PUC – Peri. Under Cell, což je dle tvrzení SK Hynixu poprvé v historii a umožní to vyšší výkon a efektivitu výroby.
Nové čipy redukují rozměry jednotlivých čipů na waferu o 30 %, přičemž zvyšují kapacitu o 49 % oproti starším 72vrstvým modelům (3D NAND, 512 Gb). Samotný výkon při čtení je vyšší až o 25 %, rychlost zápisu se zvýšila až o 30 %. Propustnost čipu je 1,2 Gb/s při napětí 1,2 V.
Hromadná výroba těchto pamětí začne během tohoto roku a mezi novinkami budou i klientská SSD s kapacitou 1 TB, která budou mít i řadič přímo od SK Hynix. Pro podnikovou sféru budou nové modely SSD dostupné až v polovině roku 2019, kdy budou rovněž dostupné i levnější varianty s QLC (čtyři bity na buňku).