Korejský výrobce chystá příští měsíc na akci International Solid-State Circuits Conference přednášku s demonstrací zatím nejpokročilejší NAND paměti, které se používají v SSD a jiných flashových úložištích.
Už název prezentace odhaluje to nejdůležitější. Samsung připravil 280vrstvý čip typu QLC s hustotou záznamu 28,5 Gb/mm² a IO propustností 3,2 Gb/s. Půjde o devátou generaci jeho 3D NAND, ta současná osmá sestává z 238 vrstev, technologie TLC a dosahuje hustoty 11,5 Gb/mm² a propustnosti 2,4 Gb/s.
Výrobce tak mezigeneračně zvýší kapacitu čipů o 148 %. Nové čipy pravděpodobně využijí pokročilejší proces s menšími tranzistory, takže se jich na plochu vejde víc. K tomu se zvýší počet vrstev. A Samsung ještě obětuje spolehlivost TLC a vsadí na paměťové buňky schopné uložit čtyři bity informace místo tří.
Výrobce |
NAND |
Vrstev |
Hustota záznamu |
Samsung V9 |
QLC |
280 |
28,5 Gb/mm² |
Intel |
PLC |
192 |
23,3 Gb/mm² |
SK Hynix V9 |
TLC |
300+ |
20,0 Gb/mm² |
YMTC |
QLC |
232 |
19,8 Gb/mm² |
WD/Kioxia |
QLC |
162 |
15,1 Gb/mm² |
YMTC |
TLC |
232 |
15,0 Gb/mm² |
SK Hynix V7 |
QLC |
176 |
14,8 Gb/mm² |
Micron |
TLC |
232 |
14,6 Gb/mm² |
Intel |
QLC |
144 |
13,8 Gb/mm² |
Samsung V8 |
TLC |
238 |
11,5 Gb/mm² |
Pro Samsung to bude i otázkou prestiže, protože jeho korejští (SK Hynix), japonští (Kioxia), američtí (Intel, Micron) i čínští (YMTC) rivalové dokázali vyrábět paměti s vyšší hustotou záznamu než on. Na druhou stranu je však Samsung tržní jedničkou a patří mu třetina všech tržeb, které se v byznysu NAND čipů točí.
Z pratického hlediska by tento technologický souboj mohl přinést levnější vysokokapacitní SSD. Modely pro běžné spotřebitele dnes končí na kapacitě 8 TB, příští generace to klidně může zdvojnásobit.
Nejoblíbenější SSD
Další oblíbená SSD
Zdroj: Computer Base