Magnetické paměti pro telefony a PDA v roce 2005

IBM a Infineon představily plán, jak dostat paměti MRAM pro kapesní zařízení do masové produkce už v roce 2005. Hlavní výhodou MRAM je mnohem vyšší rychlost zápisu oproti pamětím typu FLASH.

MRAM – Magnetic Random Access Memory je platforma založená na kombinaci klasické magnetické technologie používané v pevných discích a technologií pracujících s křemíkem. Paměti MRAM obsahují mikroskopické paměťové buňky s magnetickými poli uvnitř čipu. Čtení záznamu probíhá měřením odporu vytvářeného magnetickým polem, podle jeho hodnoty se pak jednotlivá buňka tváří jako nula nebo jednička.

Měření elektrického odporu uvnitř čipu používají i dnes rozšířené paměti typu flash. Jejich problémem je ale vysoká spotřeba při zápisu dat tedy změně stavu „0“ na pozici „I“. MRAM počítá s výrazně menšími nároky na napájení a také s výrazně vyšší rychlostí zápisu.

Obvody MRAM v minulosti vyvinula jak IBM tak třeba Motorola, ale IBM nyní chce na symposiu Very Large Scale Integration v japonském Kjótu předvést, že MRAM čipy bude možné brzy masově vyrábět. Čip, který je předmětem přednášky zástupců technických laboratoří IBM a Infineonu, byl vyroben pomocí 180 nanometrové výrobní technologie, která byla používána pro běžnou produkci počítačových čipů od roku 1999. Kapacita představovaného čipu je 128 Kb. Objem dat, které MRAM paměti zatím pojmou, se s flash čipy nedá srovnávat, ale srovnání rychlosti vychází výrazně ve prospěch MRAM. Zápis dat do pamětí flash trvá milisekundy, u MRAM jde o nanosekundy.
 
Rozdíl mezi milisekundou a nanosekundou je pro lidské vnímání naprosto nepodstatný, pro nasazení v moderních přístrojích pracujících s velkými objemy dat tento rozdíl přece jen významný je. Rozvoj kapesních zařízení kombinujících několik funkcí, ať už jde o telefony s fotoaparáty nebo multimediální PDA, přináší stále větší nároky na kapacitu paměti i rychlost ukládání a také na velikost paměťových čipů.

Zvýšené nároky na paměťová média pro kapesní zařízení se proto snaží řešit řada firem vlastním výzkumem. Kromě MRAM jde o Ovonic Unified Memory, která používá stejný materiál jako CD – krystaly křemíku, které nahradí jednolitou vrstvu materiálu krystalovou mřížkou, a některé další.

I když se technologie pamětí MRAM zdá slibná, existují i její kritici. Podle nich je rozdíl mezi jedničkou a nulou znázorněnou elektrickým odporem magnetického pole příliš malý – změna polohy probíhá změnou pohybu elektronů v magnetickém poli, zatímco u flash pamětí jsou elektrony protlačeny skleněnou stěnou. Podle IBM je ale nyní rozdíl v odporu mezi jednotlivými stavy 30-40 procent, což je pro jednoznačné rozlišení dostatečné.
 
IBM se snaží podpořit vývoj MRAM tak, aby už příští rok mohla poskytnout vzorky výrobcům kapesních zařízení. Hromadná výroba by tak mohla být zahájena už během roku 2004. IBM ale zatím odmítá stanovit přesné termíny a odvolává se na potřebu poptávky ze strany trhu.

Diskuze (12) Další článek: Intel zlevnil mobilní procesory

Témata článku: Paměťová buňka, Magnetic, „ PDA, Přesná hodnota, Elektrický odpor, Jednotlivá buňka, Scala, Přesná pozice, Vera, Paměťový čip, Změna polohy, Tel, Random, Krystal, Dostatečná rychlost, Přesná poloha, PDA, Elektron, Jednička, Lidské vnímání, Telefon, Dostatečná změna

Určitě si přečtěte


Aktuální číslo časopisu Computer

Test 6 odolných telefonů a 22 powerbank

Srovnání technologií QLED a OLED

Měřte své sportovní výkony

Sady pro chytrou domácnost