Grafické karty | Samsung | Paměti

Grafiky dostanou větší a rychlejší paměti, Samsung dokončuje vývoj 3D čipů HBM2E s kapacitou až 24 GB

Grafiky dostanou větší a rychlejší paměti, Samsung dokončuje vývoj 3D čipů HBM2E s kapacitou až 24 GB

Ať už jde o výkonné grafické karty nebo třeba superpočítače, 3D paměti HBM začínají být stále důležitější, protože nabízí velmi vysokou propustnost. Samsung představil nové modely čipů splňující standard HBM2E (High Bandwidth Memory Generation 2 Enhanced), který přináší další pokrok v kapacitě i výkonu.

Samsung jako první oznámil vývoj 12vrstvých HBM2E 3D-TSV čipů s propustností 307 GB/s a celkovou kapacitou 24 GB. To vše při zachování tloušťky pouze 702 mikrometrů stejně jako u současných HBM2 čipů s 8 vrstvami. Celkem 12 DRAM čipů je propojeno pomocí 60 tisíc TSV spojení.

Klepněte pro větší obrázek

Oproti současné generaci čipů HBM2, které v jednom balení mohou mít maximálně 8 GB, tak nabídnou čipy HBM2E třikrát větší kapacitu, vyšší výkon a nižší spotřebu. Výroba by měla začít brzy a pokud se vše stihne, mohli bychom se těchto čipů dočkat u grafických karet nachystaných pro příští rok.

Klepněte pro větší obrázek

Další chystaný standard HBM3 ještě stále není dokončen, ale měl by přinést kapacitu až 64 GB na jeden čip a propustnost 512 GB/s rovněž v rámci jednoho čipu.

Diskuze (1) Další článek: Meshové routery od Linksysu se nově dokážou proměnit v mikrovlnné detektory pohybu

Témata článku: Technologie, Čipy, Grafické karty, Samsung, Paměti, Grafická karta, Kapacita, Grafika, Vývoj, Paměť, Propustnost, Čip

Aktuální číslo časopisu Computer

Megatest: 20 powerbank s USB-C

Test: mobily do 3 500 Kč

Radíme s výběrem routeru

Tipy na nejlepší vánoční dárky