Voicer
23. 12. 2014 • 8:28

Radši jsem si to našel trochu blíž k původnímu zdroji: http://www.eetimes.com/document.asp... Takže pro upřesnění:
- nejnižší a nejvyšší vrstva sice obsahují tranzistory, ale navzájem jsou odlišné - spodní je klasická CMOS, horní je ten skutečný objev, poskládaná z CNT (carbon nanotube transistor)
- cílem experimentu bylo ukázat, jak lze vyrobit čip s vysokou hustotou CNT
- odvod tepla je hlavně problémem jednotlivých vrstev - horní je udělaná tak, aby se nepřehřívaly ty pod ní, atd.
- propojení mezi vrstvami je "conventional", žádné nanotrubice, ty jsou pouze v té nejvyšší vrstvě3d chip stacking není nic až tak výjimečného, zajímavá informace např. zde:
http://www.extremetech.com/computing/194911-intel-an... ...
Jestli se ale podaří zavést sériovou výrobu CNT, bude to zajímavý pokrok ve spotřebě. Totéž platí pro RRAM jako nástupce Flash pamětí.

Lukas1107
22. 12. 2014 • 18:49

s tim zahrivanim bych byl opatrny, protoze to prave muze mit za nasledek vetsi lokalni zahrivani, protoze teplo se vzdy odvadi lepe z vetsi plochy

Názor byl 1× upraven, naposled 22. 12. 2014 18:52

Tehomas
22. 12. 2014 • 10:07

Nepochopil jsme to o zavírání nanotrubic, úniku elektřiny a zahřívání. Připadá mi, že pokud topí placatej čip, tak dát ho mezi dva další ohřívače může být větší a ne menší problém. To samé s kapacitními vazbami a svodem - všechno tohle mi připadá, že ve více vrstvách bude větší a ne menší problém. Tohle bych rád viděl trochu rozvedené.

kolemjdouci2014
20. 12. 2014 • 12:50

"Vícevrstvé 3D čipy"To, ze ty cipy jsou nakladany na sebe, chapu. Ale to 3D nechapu.

Axel_foley4
20. 12. 2014 • 12:32

Už delší dobu si všímám, že Kája je nejlepší z redakce a při sobotě skutečně pracant. 🙂 Nejspíš nechce doma uklízet před Vánocemi nebo nakupovat a umývat okna a tak oživuje živě.cz 😀

Názor byl 1× upraven, naposled 20. 12. 2014 12:55

Určitě si přečtěte

Články odjinud