Nové čipy budou až o 30 procent rychlejší díky technologii low-K dielectric.
Firma IBM oznámila, že sestavila proces, díky kterému mohou být integrované obvody až o 30 procent rychlejší. To je možné díky novému izolačnímu materiálu zvanému "low-K dielectric", jenž výrazně snížil parazitní kapacitu, která znemožňovala další zvyšování rychlosti čipů. To je nutné pro výrobu integrovaných obvodů s použitím hluboce submikronové technologie.
Generální ředitel IBM Microelectronics John Kelly připomněl, že IBM byla první firmou, která již v roce 1997 začala výrobu procesorů a dalších čipů použitých v počítačích s využitím mědi jako vodiče místo dosavadního hliníku. Díky tomu mohly být čipy o 20 – 30 procent rychlejší něž dosavadní technologie. Nyní se s izolačním materiálem "low-K dielectric" dosáhne zrychlení o dalších 20 – 30 procent. Na 0,13mikronovou technologii a menší již nestačí dosavadní materiál, kterým je 30 let starý dioxid křemíku SiO2. Zde již začalo docházet k přeslechům mezi kanály, interferencím a dalším nežádoucím jevům. IBM již produkuje "měděné" čipy s novou technologií na pilotní lince projektu ve Fishillu, stát New York, USA. Plná výroba se plánuje na nových linkách v Burlingtonu v první polovině roku 2001. Bude zde vyráběna budoucí generace IBM Power4 procesorů, určená pro použití v počítačích IBM RS/6000 a IBM AS/400.
Živě komentuje: Tento proces oznámila loni v květnu již firma Motorola. Hned je otestovala na dvou aktuálních čipech - procesoru PowerPC a rychlé SRAM paměti s použitím 0,18mikronové technologie. Nenaměřili zde žádný z problémů, které byly u izolačních vrstev předchozího materiálu. Tehdy byli první, kdo úspěšně otestoval nový materiál s "měděnou" technologií. Technická ředitelka Motoroly Betsy Weitzmanová prohlásila, že pokusy byly prováděny s dvou- až třívrstvými čipy, ale nenarazilo se na žádné problémy. Může se proto očekávat produkce čipů se šesti až sedmi kovovými vrstvami. Motorola nemůže nový materiál prakticky použít ve své produkci dříve než v roce 2002. Problémy s novými materiály byly různorodé – od velmi rozdílné tepelné roztažnosti mědi a izolačního materiálu až po prostupování mědi do izolantu. Předchozí práce testovaly i organické materiály, opět bez výrazného úspěchu, který se dostavil až s touto novou technologií.
Použití nového izolantu přispělo v poslední době k dalšímu urychlení čipů. Prvním bylo použití měděné technologie. Protože novým izolačním materiálem disponuje firma Dow Chemical Co. a nikoliv Intel, IBM či AMD, můžeme do dvou let očekávat nástup procesorů, pamětí, čipsetů a jiných integrovaných obvodů s touto technologií. Ta bude samozřejmě hned použita jako nové střelivo ve válce výrobců procesorů a nyní zřejmě i procesorů RAM pamětí. A jako vždy bude vítězem zákazník (nebo chcete-li uživatel).
