Od roku 2000 pracuje intenzívně společnost NEC na vysokorychlostní a energeticky nezávislé LSI paměti MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), kompatibilní s SDRAM u které již byla dosažena pracovní frekvence 250MHz...
Od roku 2000 společnost NEC intenzivně pracuje na vysokorychlostní a energeticky nezávislé LSI paměti MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), kompatibilní s SDRAM. Jde o nevolatilní typ paměti, který dokáže uchovat informace i bez napájení.
U MRAM se již podařilo dosáhnout pracovní frekvence 250 MHz. Vývoj MRAM je spolufinancován NEDO (Japan's New Energy and Industrial Technology Development Organization).
Veřejnosti byl předveden MRAM čip o kapacitě 1 Mb, jehož unikátní paměťová buňka je tvořena dvěma tranzistory a jedním magnetickým tunelovým přechodem. Paměť měla v testech datový výstup 3,7 ns při frekvenci 250 MHz a je téměř rovnocenná s LSI - embedded SRAM.
Zdroj: NEC, NEC EN
