Z posledních událostí je vidět, že se spousta velkých hráčů na poli křemíkových čipů a výrobců pamětí snaží spojovat pro vývoj nových řešení, která budou založena na lepší technologii. Vývoj různých paměťových technologií už bylo oznámen mnohokrát a není se čemu divit. Ten kdo nabídne v předstihu nástupce současných generací a řešení prosadí, bude mít značnou výhodu.
Toshiba se proto spojila se společností Hynix na vývoji MRAM, tedy magnetorezistivní RAM. MRAM je schopná uchovat data i po přerušení napájení. V budoucnu by mohla nahradit DRAM, nabízí totiž menší spotřebu, vyšší rychlost (včetně nižší přístupové doby v oblasti jednotek nanosekund) přičemž má lepší vlastnosti než flash paměť – mnohem větší životnost a tisíckrát vyšší rychlosti.
MRAM vyvíjí i další společnosti jako IBM, Samsung a podobně
Zatím není jasné, kdy se objeví nové druhy pamětí a jaká se stane skutečně masovou záležitostí, ale určitě se dočkáme ještě toto desetiletí, kdy se stejně jako v minulosti celkový výpočetní výkon ztisícinásobí.
