U mobilní telefonů a tabletů jsem zvyklí spíše na menší úložiště v řádu desítek gigabajtů. To by se ale díky Samsungu mohlo změnit. Ve čtvrtek totiž oznámil že začal s masovou výrobou paměťových čipů s kapacitou 256 GB. Fyzická velikost těchto čipů by ale dle oficiálního vyjádření měla být menší než micro SD karta.
Vměstnat velké množství transistorů na malý paměťový čip umožňuje technologie V-NAND, která má buňky rozmístěny ve vertikálních vrstvách. Jejich rozložení do třech směrů potom umožňuje vytvořit malý čip s vysokou hustotou paměťových buněk. U této technologie by navíc měla být zajištěna i větší spolehlivost.
3D technologie V-NAND umožňuje verikální vrstvení paměťových buněk a může se tak mnohonásobně zvětšit jejich hustota na malém čipu
Čipy používají rozhraní USF 2.0 (Universal Flash Storage), které dle Samsungu dosahuje rychlosti sekvenčního čtení až 850 MB/s. Rychlost zápisu je potom nižší, ale stále velmi příjemná – 250 MB/s. Úctyhodný je také výkon hodnocený v jednotce IOPS (input/output operations per second), zde paměť dosahuje skóre až 45 000 operací za sekundu.
Takto velké a rychlé paměti by mohly přinést menší revoluci do světa tabletů. Zde totiž často vídáme malé interní úložiště typu eMMC, které nedosahují příliš velkých rychlostí a vedle operačního systému už mnoho aplikací nenainstalujete. Další místo pro data se potom musí řešit SD kartou, která je ale pomalá. Spekuluje se také, že by se paměť mohla objevit i u očekávaného iPhone 7.
