Samsung začal hromadně vyrábět trojrozměrné čipy NAND flash

Samsung začal hromadně vyrábět trojrozměrné čipy NAND flash

Společnost Samsung oficiálně představila nový druh pamětí NAND flash, které mají vertikální trojrozměrnou strukturu.

Samsung 3D Vertical NAND flash (V-NAND) mají v rámci jednoho vertikálního čipu založeného na technologii 3D Charge Trap Flash (CTF) kapacitu 16 GB. Díky tomu je schopen Samsung dosáhnout mnohem lepších parametrů, než u běžných čipů s 20nm tranzistory.

Nové čipy 3D V-NAND flash mají nejen několikanásobně vyšší výdrž (Samsung uvádí dvakrát až desetkrát), ale poskytují i dvakrát vyšší rychlost při zápisu než u současných čipů.

Klepněte pro větší obrázek
Terabitové čipy se blíží, budou mít trojrozměrnou strukturu

Vertikální spojení může mít až 24 samostatných vrstev (čipů), což povede k rychlejšímu nasazení čipů s vyšší kapacitou a malou velikostí (stovky gigabajtů v jednom kusu křemíku).

Samsung se pochlubil, že má více 300 čekajících patentů v oblasti 3D pamětí, takže se jistě můžeme těšit i na další rychlý rozvoj levných a rychlých pamětí. 

Diskuze (11) Další článek: Ty nejlepší mapové mashupy na jednom místě. Noční obloha i 3D modely

Témata článku: Hardware, Technologie, Čipy, Samsung, Flash, NAND, Mass, Rychlý rozvoj, Běžný čip, Trap, Nand flash, Vertical, Nový druh, Rychlé spojení, Čip, Struktura

Určitě si přečtěte


Aktuální číslo časopisu Computer

Ochraňte svou techniku před zloději

Testy All-in-One PC a herních monitorů

Proč byste měli chtít HDR televizi

Svět leteckých simulátorů