Samsung představil 48vrstvé čipy 3D V-NAND flash s kapacitou 32 GB

Samsung představil 48vrstvé čipy 3D V-NAND flash s kapacitou 32 GB

Na začátku měsíce se Toshiba pochlubila novými 32GB čipy 3D NAND flash, které jsou vyráběné 15nm technologií a mají 48 vrstev (BICS).

Podobný milník nyní uvádí i společnost Samsung, která technologii nazývá 3D V-NAND. Čipy mají stejnou kapacitu 256 Gb, v přepočtu tedy 32 GB, přičemž se jedná o 48 vrstev s třemi bity na buňku. Jednotlivé vrstvy obsahující dohromady 85,3 miliard buněk jsou propojené celkem 1,8 miliardy spojů.

Klepněte pro větší obrázek
Nové 32GB čipy 3D V-NAND od Samsungu

Nové čipy mají o 30 % nižší spotřebu a dvakrát větší kapacitu než starší 128bitová generace s 32 vrstvami. Výtěžnost je při výrobě až o 40 % lepší, což by měl znamenat i snížení ceny za gigabajt u nadcházejících SSD.

Diskuze (3) | Dropbox je další, kdo podporuje USB klíč. FIDO chce být standardem

Témata článku: Hardware, Technologie, 3D, Čipy, Samsung, Flash, Paměťová buňka, Nový milník, NAND, Mass, Nand flash, 32Gb, GB, Jednotlivá buňka, Flash memory, Čip

Určitě si přečtěte


Aktuální číslo časopisu Computer

Zachraňte nefunkční Windows

Jak nakupovat a prodávat kryptoměny

Otestovali jsme konvertibilní notebooky

Velký test 14 herních myší