Samsung a Hynix: prototypy operačních pamětí DDR4

Samsung a Hynix: prototypy operačních pamětí DDR4

Současná generace operačních pamětí, která je rozšířená v oblasti notebooků i desktopů – DDR3, bude mít příští rok nástupce v podobě DDR4. Nová verze operačních pamětí bude nejen výkonnější, ale také úspornější.

Na konferenci ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) představily společnosti Samsung a Hynix operační paměti typu DDR4, které se pyšní frekvencí od 2 133 MHz, respektive 2 400 MHz při nízkém napětí 1,2 V. Neměl by však být problém ani se standardem 3,2 GHz. Oproti klasických DDR3 verzím s napětím 1,5 V mají také o 40 % nižší spotřebu a nabídnou v jednom modulu kapacitu až 32 GB.

Klepněte pro větší obrázek
Operační paměti DDR4 nabídnou v jednom modulu kapacitu až 32 GB a frekvenci až 3,2 GHz. Přitom budou až o 40 % úspornější, než DDR3. (Zdroj: Hynix)

Prototypové čipy tohoto druhu pamětí byly vyrobeny 30nm a 38nm technologií, v případě jejich hromadné výroby se ale počítá již s mnohem pokročilejší, 20nm výrobou. První zařízení s DDR4 pamětí by se měly objevit začátkem roku 2013, s větším rozšířením DDR4 i mobilních LPDDR3 (low power DDR3) se počítá ale až během roku 2014.

Diskuze (6) Další článek: Odhadujeme budoucnost: Chrome se stane jedničkou už velmi brzy

Témata článku: Hardware, Technologie, Samsung, Prototyp, Operační paměť, Nízké napětí, DDR, DDR3

Určitě si přečtěte


Aktuální číslo časopisu Computer

Jak vznikají filmové efekty

Test ATX skříní a externích disků

Znáte svá práva při reklamaci?

Průvodce první instalací NASu