Samsung a Hynix: prototypy operačních pamětí DDR4

Samsung a Hynix: prototypy operačních pamětí DDR4

Současná generace operačních pamětí, která je rozšířená v oblasti notebooků i desktopů – DDR3, bude mít příští rok nástupce v podobě DDR4. Nová verze operačních pamětí bude nejen výkonnější, ale také úspornější.

Na konferenci ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) představily společnosti Samsung a Hynix operační paměti typu DDR4, které se pyšní frekvencí od 2 133 MHz, respektive 2 400 MHz při nízkém napětí 1,2 V. Neměl by však být problém ani se standardem 3,2 GHz. Oproti klasických DDR3 verzím s napětím 1,5 V mají také o 40 % nižší spotřebu a nabídnou v jednom modulu kapacitu až 32 GB.

Klepněte pro větší obrázek
Operační paměti DDR4 nabídnou v jednom modulu kapacitu až 32 GB a frekvenci až 3,2 GHz. Přitom budou až o 40 % úspornější, než DDR3. (Zdroj: Hynix)

Prototypové čipy tohoto druhu pamětí byly vyrobeny 30nm a 38nm technologií, v případě jejich hromadné výroby se ale počítá již s mnohem pokročilejší, 20nm výrobou. První zařízení s DDR4 pamětí by se měly objevit začátkem roku 2013, s větším rozšířením DDR4 i mobilních LPDDR3 (low power DDR3) se počítá ale až během roku 2014.

Diskuze (5) Další článek: Odhadujeme budoucnost: Chrome se stane jedničkou už velmi brzy

Témata článku: Hardware, Technologie, Samsung, Prototyp, Hynix, DDR, Operační paměť, Nízké napětí, DDR3

Určitě si přečtěte


Aktuální číslo časopisu Computer

Jak rychlé je nabíjení bez drátů?

Test 11 sluchátek pro hráče

Aplikace, které vám zachrání dovolenou

Kompletní přehled datových tarifů