Vědci z laboratoří společnosti Philips vyvinuli nový materiál pro výrobu pamětí, který má ve většině parametrů předčit klasické flash paměti a zároveň se mají tyto parametry zlepšovat tak, jak bude zmenšována velikost paměťových buněk. Podle Philipsu dosahuje prototyp paměti rychlost změny polarity 30ns, což je 100 až 200x rychlejší než paměti typu flash.
Materiál využívá podobného principu jako přepisovatelné DVD, jeho fyzický stav může být prostřednictvím elektrických impulsů měněn mezi dvěma fázemi, které představují nulu nebo jedničku. Nová technologie se ale neobejde bez křemíku v podobě oxidu křemičitého, který obklopuje jemnou vrstvu vodivého materiálu. Použitý princip není nový, novinkou je ale použitý materiál, sloučenina antimonu a telluru, a použitá struktura buněk.
Zdroj: The Register
