Nové FeFET buňky pro flash paměti umožní až sto milionů zápisů

Japonští vědci z Novel Eletron Devices Group, National Institute of Advanced Science and Technology a Tokijské univerzity předvedli nové paměťové buňky pro NAND flash paměti, které jsou založené na tranzistorech FeFET (ferroelectric gate field-effect transistors). Nové buňky mají dramaticky zvýšit výkon flash pamětí. Oproti stávajícím NAND flash pamětem nabídnou mnohem vyšší počet přepisů – předpoklad je sto či více milionů zápisů při programovacím napětí 6 V. Buňky u konvenčních NAND flash pamětí nabízejí přibližně deset tisíc přepsání při napětí 20 V. Paměti by měly být schopné uchovat data přibližně deset let.

Klepněte pro větší obrázek 
Fotogrrafie FeFET pro Fe-NAND flash paměti z optického mikroskopu.  

Předpokládá se, že s pomocí FeFET tranzistorů bude možné vyrábět paměťové čipy pomocí 20nm i 10nm výrobního procesu, zatímco u konvenčních NAND flash čipů se očekává, že hranice, pod níž by nemělo být možné jít, je 30 nm.

Zdroj: AIST, Nanowerk

Diskuze (4) Další článek: Nový Firefox 2.0.0.16 opravuje kritické bezpečnostní chyby

Témata článku: Flash, Field, Sto milionů, Zápis, Sto, Japonský vědec, Paměťový čip, Buňka, Mikroskopy, Paměťová buňka, Gate

Určitě si přečtěte


Aktuální číslo časopisu Computer

Zachraňte nefunkční Windows

Jak nakupovat a prodávat kryptoměny

Otestovali jsme konvertibilní notebooky

Velký test 14 herních myší