Společnost Micron, jedna z největších firem, která se zabývá výrobou pamětí typu flash i operačních SDRAM či DRAM, vyvinula hybridní technologii, která možná konečně zlepší nízkou propustnost operačních pamětí.
Operační paměti jsou jednou z klíčových částí systému, ale v poslední době je jejich propustnost oproti jiným částem počítače velmi malá a omezující. To by se mělo změnit díky takzvané „Hybrid Memory Cube“.
Hybrid Memory Cube a řadič v rámci každého paměťového čipu je už v prvních funkčních prototypech
Technologie výrazně zrychlí komunikaci mezi hlavním procesorem a operační pamětí, zatím bylo v reálných podmínkách dosaženo dvacetinásobného zvýšení propustnosti, přičemž se samozřejmě počítá s postupným zvyšováním rychlosti. Zatímco rychlost procesorů se obrovským tempem zvyšuje, paměti spíše stagnují a jejich rychlost se zvyšuje o pouhých pár procent za rok. To lze vidět i na posledním přechodu z DDR2 na DDR3.
Princip se nese ve znamení paměťového řadiče přímo na každém paměťovém čipu, čímž lze obejít omezení propustnosti jednoho paměťového modulu. S nasazením této technologie se počítá ke konci roku 2012 a ve větším měřítku pak v roce 2013. Do oblasti domácích počítačů by se tyto extrémně rychlé paměti měly dostat v roce 2015.
