První věc:
Jednak si myslím, že to nebudou současná Itania 0,18 µm, ale ta nová na 0,13 µm. Tam to bude asi s tím teplem asi lepší. Jenom trubka by se snažila udělat supercomp z prvních Itanií, když ta druhá vlna je za dveřmi 
Druhá:
Nejsem si jist, ale tepelný výkon - mám dojem - závisí na: frekvence × počet tranzistorů × napětí ^2 ??? Skutečně to nevím nabeton, ale tuším, že jsem to kdysi kdesi četl. Takže je logické, že když první dvě veličiny rostou (pokud chceme vyšší výkon tak prostě musí) dá se jedině snižovat napájecí napětí, ne? Cestou toho je miniaturizace, ne?
