IBM ukázala paměť, která je stokrát rychlejší než flash

IBM ukázala paměť, která je stokrát rychlejší než flash

V oblasti pamětí je k dispozici mnoho různých technologií a ve vývoji jich je ještě více. Jednou nadějnou je i takzvaná PCM (Phase Change Memory) paměť, která dosahuje vysoké rychlosti zápisu i čtení dat, zároveň však dokáže uchovat data i po odpojení elektrické energie.

Oproti technologii flash má také výrazně lepší výdrž, zvládne totiž až 10 milionů přepsání, zatímco NAND flash čipy typu SLC mají i v profesionálním segmentu maximum v desítkách tisíc přepsání. Levnější MLC čipy pak pouze v řádu tisíců.

Klepněte pro větší obrázek

Vědcům z IBM se tak poprvé podařilo vytvořit vícebitovou PCM (zatím 90nm, 2 bity na buňku – 00/01/10/11), která je schopná obstát v náročném podnikovém segmentu, kde je důležitá především výdrž a spolehlivost. Podle IBM je možné dosáhnout 100× vyšších rychlostí, než u současných flash pamětí. To by představovalo i lepší parametry než u operačních pamětí.

V budoucnu bychom tak mohli mít zařízení, která budou okamžitě spuštěná, žádné zdlouhavé nahrávání do operační paměti. Zda nakonec zvítězí právě tato technologie, to se dozvíme až za několik let.

Diskuze (16) Další článek: AMD Brazos-T: úsporná platforma pro tablety s Windows 8

Témata článku: Hardware, Technologie, IBM, Flash, Sto, Phase, Paměť, Profesionální segment

Určitě si přečtěte


Aktuální číslo časopisu Computer

Zachraňte nefunkční Windows

Jak nakupovat a prodávat kryptoměny

Otestovali jsme konvertibilní notebooky

Velký test 14 herních myší