Společnost Toshiba ve spolupráci s NEC již několik let pracuje mimo jiné také na vývoji paměti FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory), která nabízí podobné rychlosti jako operační paměti, dokáže však uchovat data i po odpojení napájení podobně jako flash disk.
Na letošní mezinárodní konferenci Solid-State Circuits, Toshiba představila nejnovější prototyp 128 Mb FeRAM čipu, který je vyroben 130nm technologií, přičemž rychlost čtení/zápisu je kolem 1,6 Gb/s (rychlost jednoho čipu). Používá rozhraní stejné jako DDR2 operační paměti, vyžaduje napájení 1,8 V a odezva činí 83 ns.
V budoucnu by bylo možné použít tento typ pamětí například v mobilních zařízeních a podobně. Pokud budeme trochu teoretizovat a uvažovat o budoucnosti, představte si podobnou paměť v počítači. Pouze jedna paměť o rychlosti operační paměti a o kapacitě pevných disků. Veškerá data by byla uložena v této paměti, ze které by se zároveň četla stejně rychle, jako by byla v operační paměti.
Rychlost načítání a odezva programů by byla vynikající. Stejně tak by došlo ke zjednodušení programování, nebylo by potřeba předem načítat program a hodnoty do paměti. Všechna data dostupná okamžitě.
Otázka do diskuze: jak vidíte budoucnost pamětí?
Zdroj: TechConnect Magazine, Wikipedia
