reklama

IBM uvádí nejrychlejší technologii dynamické paměti na čipu

22. února 2007
Jak obejít ochranu ve Windows Vista
SAN FRANCISCO, Kalifornie – 14. února 2007: Ve studiích prezentovaných na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC) představila společnost IBM zcela novou technologii paměti na čipu s nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u paměti eDRAM (embedded dynamic random access memory).

Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Ohromně zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem.

Tato technologie má být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008.

Nová technologie eDRAM společnosti IBM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI (Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon paměti na čipu zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického odběru v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM (static random access memory).

„Tímto průlomovým řešením spojovacího článku mezi procesorem a pamětí IBM efektivně zdvojnásobuje výkon mikroprocesorů a překračuje tak veškeré možnosti klasické miniaturizace prvků,“ řekl Dr. Subramanian Iyer, Distinguished Engineer a ředitel vývoje 45nm technologie ve společnosti IBM. „Protože se polovodičové součástky dostaly do atomového měřítka, inovace designu na úrovni čipu nahradily materiálovou vědu jako klíčový faktor pro pokračování Mooreova zákona. Toto oznámení dále potvrzuje vedoucí pozici IBM v této kritické oblasti inovací návrhu mikroprocesorů.“
 
Inovace společnosti IBM v oblasti mikroelektroniky a její převratné návrhy systému na čipu transformují svět polovodičů. Mezi průlomové inovace IBM patří materiál high-k, který zlepšuje funkci tranzistoru a zároveň umožňuje při jeho zmenšování překročit současné meze, dvoujádrové a vícejádrové mikroprocesory, měděné vodiče na čipu, tranzistory s křemíkem na izolantu a s kombinací křemíku a germania (Si-Ge), napnutý křemík a eFUSE, což je technologie, která umožňuje počítačovým čipům automaticky reagovat na měnící se podmínky. Bílý dům udělil IBM Národní medaili za technologii za 40 let inovací na poli polovodičů. Tato medaile je nejvyšším americkým vyznamenáním za technické úspěchy.

Čipy IBM jsou srdcem serverových a úložných systémů IBM, nejrychlejších superpočítačů světa a mnoha všeobecně známých a široce používaných značek komunikační a spotřební elektroniky. 

Některé specifikace vysoce výkonné technologie eDRAM společnosti IBM:

  • Velikost buňky: 0,126 mm2
  • Napájení: 1 V
  • Dostupnost: 98,7%
  • Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb)
  • Odběr proudu: 76 mW
  • Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW
  • Doba náhodného cyklu: 2ns
  • Latence: 1.5ns

 

Témata článku: IBM, Sram, Random

Nejnovější komentáře

Přidat příspěvek
reklama
reklama