Podíváme se na dvě technologie, které už za pár let mohou zdatně konkurovat stávajícím pamětem flash i pevným diskům
Technologie PRAM (Phase-change Random Access Memory) je stará již řadu let, ale není natolik známá, abychom ji nemohli blíže představit. Využívá se změny krystalické struktury na amorfní a naopak za pomoci vysoké teploty. Obecně je tato změna pomalá a energeticky náročná, bylo jen otázkou času, kdy nanotechnologie natolik postoupí, že energetická náročnost a rychlost přeměny fáze přestane být překážkou.
Daniel Jay Shanefield, narozený roku 1930 ve městě Orange v americkém státě New Jersey, dnes již vysloužilý profesor, který získal v roce 1962 doktorát z fyzicky a chemie, již v září 1966 patentoval technologii na změnu fáze a v červnu 1969 patentoval pod číslem „US patent 3 448 302” první spolehlivou metodu změny fáze.
Teprve za třicet let v červnu 1999 vzniká použitelná technologie výroby PRAM ve společnosti Ovonyx joint venture, v listopadu téhož roku na stejné technologii pracuje i Martin Lockheed s Ovonyxu. Následného roku již investuje do Ovonyxu Intel za účelem získání technologie.
V červenci 2003 začíná na PRAM technologii pracovat i Samsung, následuje řada patentových přihlášek od Toshiby, Hitachi, Macronixu, Renesasu, Elpidy, Sony, Matsushity, Mitsubishi, Infineonu a dalších.
Samsung na technologii dále pracuje a v srpnu 2004 tvoří první PRAM o velikosti 64 MB v září 2005 má již 256 MB PRAM s programovacím proudem 400 µA a v prosinci získává další technologie od Ovonyxu, aby již v září 2006 představil PRAM o velikosti 512 MB.
Samozřejmě ostatní producenti na technologii PRAM rovněž pracovali. V dubnu letošního roku provedl veřejnou prezentaci i hlavní technolog Intelu Justin Rattner a před měsícem založil Intel společně s STMicroelectronics a Francisco Partners (45,1%/48,6%/6,3%) ve Švýcarsku se souhlasem Evropské komise společnost Numonyx. Společnost Numonyx investuje 2,5 miliardy amerických dolarů, má zaměstnávat až osm tisíc zaměstnanců a její výrobní náplní má být výroba čipů NAND Flash a zřejmě i PRAM, na kterých velmi intenzívně pracují.
Vedoucí oddělení nanoelektrických technologii Tchaj-wanského výzkumného ústavu ITRI Chang Shun-hsien říká, že do tří let boudou k dispozici PRAM, které půjdou ve srovnání s pamětmi Flash, třicetkrát rychleji zapisovat a budou mít desetkrát delší životnost. ITRI sdružuje Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), ProMOS Technologies, Powerchip Semiconductor, Nanya Technology, Macronix International a Winbond Electronics a při vývoji PRAM vytvořili na 50 patentů.
TSMC spolu s ITRI pracuje i na MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), kde bylo vytvořeno na 40 patentů. MRAM by měly být k dispozici již koncem příštího roku, jako konkurence DRAM pamětí, měly by mít obdobnou rychlost a schopnost uchování dat bez napájení.
Feritová paměť byla objevena již roku 1955 a její princip je shodný s principem MRAM. Společnost IBM až v roce 1988 navázala na feritovou paměť objevem magnetické rezistence tenké vrstvy, který pak zužitkovalo od roku 2000 ve výzkumných pracích na MRAM. V roce 2003 byl postaven první 128kB MRAM čip.V říjnu 2004 Tchaj-wanští vývojáři postavili 1 Mb MRAM čip v TSMC. Dále se již MRAM věnuje množství společností.
Zdroj: Info World, Tech World, Wikipedia, Homepage, The Inquirer
