S příchodem nových desktopových procesorů Intel Core 12. generace (Alder Lake-S) konečně nastala doba nové generace operačních pamětí DDR5. Jeden z největších výrobců paměťových čipů – Samsung – na konferenci Tech Day odhalil, co má v plánu pro nejbližší budoucnost. Detaily přinesl web Computer Base.
Oznámení chystaných novinek se týkalo tří druhů pamětí – operačních pamětí DDR6, pamětí pro grafické karty GDDR6+ a GDDR7 a speciálních extrémně rychlých pamětí HBM3.
Po vzoru operačních pamětí DDR5, u kterých je standardní limit 8,4 GHz (dočkáme se ale i rychlejších), budou DDR6 začínat na frekvenci 12,8 GHz. Standard od JEDECu však je teprve v počáteční fázi, takže se mohou některé věci změnit. Pokud jde ale o přetaktované modely, Samsung zmínil i frekvenci 17 GHz (DDR6-17000) a rovněž plán pro DDR6LP. Paměti DDR6 by měly mít dvojnásobný počet kanálů a čtyřnásobnou velikost paměťových bank by mělo významně zvýšit propustnost a to i přes to, že by spotřeba ve srovnání s DDR5 měla opět klesnout o přibližně 20 %. Otázkou samozřejmě je, jak na tom zase budou latence, které se nejspíše opět zvýší.
Pro grafické karty jsou důležité paměťové čipy GDDR, v tomto případě Samsung chystá nejen mezistupeň v podobě GDDR6+ s propustností 27 Gb/s (standardní GDDR6 mají 18 Gb/s a GDDR6X pak 21 Gb/s), ale také novou generaci GDDR7. U GDDR7 by propustnost měla být 32 Gb/s.
Specializované rychlé paměti HBM3 by měl Samsung dostat na trh už ve druhém čtvrtletí roku 2022, avšak detaily neprozradil. Konkurenční SK Hynix se s HBM3 již chlubil a to v podobě 24GB čipů s propustností 819 GB/s. Od Samsungu lze tak předpokládat podobné parametry.
