Korejská společnost minulý týden oznámila další rozsáhlou investici. Do roku 2028 napumpuje 15 miliard dolarů do výstavby nového střediska ve městě Giheung. Celý komplex bude mít bezmála 11 hektarů a půjde celkově o dvanácté výzkumně-vývojové centrum Samsungu.
V Giheungu mají vznikat nové generace paměťových i logických čipů, resp. výrobní procesy pro ně určené. Vědci budou na místě zkoumat i nové materiály a technologické postupy, kterými by mohly vznikat budoucí tranzistory.
Centrum bude úzce spolupracovat s asi 40 km vzdáleným střediskem ve městě Hwasong, kde už Samsung paměťové i logicky čipy vyvíjí. V Giheungu by měl provoz odstartovat v roce 2025, celý kampus bude hotový o tři roky později.
Samsung už letos oznámil, že v příštích 20 letech postaví 11 nových továren v USA, za které utratí 200 miliard dolarů. Doma v Koreji pak do roku 2030 investuje 127 miliard dolarů do rozšíření nebo výstavby fabrik. Právě dokončuje továrnu P3 v Pchjongtcheku, která bude produkovat 14nm čipy DRAM a 5nm logické procesory, v obou případech s využitím EUV litografie.
Samsung jako první spustil sériovou výrbu GAAFETů, nové generace tranzistorů
Letos v létě pak firma jako první z velké trojky Samsung, TSMC a Intel odstartovala sériovou výrobu čipů s novým typem tranzistorů typu GAAFET. Nový 3nm proces má snížit spotřebu o 45 %, případně zvýšit výkon o 23 % ve srovnání s 5nm. To při ploše o 16 % menší než dřív.
Zdroj: Samsung (1, 2)
