Japonští vědci z Novel Eletron Devices Group, National Institute of Advanced Science and Technology a Tokijské univerzity předvedli nové paměťové buňky pro NAND flash paměti, které jsou založené na tranzistorech FeFET (ferroelectric gate field-effect transistors). Nové buňky mají dramaticky zvýšit výkon flash pamětí. Oproti stávajícím NAND flash pamětem nabídnou mnohem vyšší počet přepisů – předpoklad je sto či více milionů zápisů při programovacím napětí 6 V. Buňky u konvenčních NAND flash pamětí nabízejí přibližně deset tisíc přepsání při napětí 20 V. Paměti by měly být schopné uchovat data přibližně deset let.
Fotogrrafie FeFET pro Fe-NAND flash paměti z optického mikroskopu.
Předpokládá se, že s pomocí FeFET tranzistorů bude možné vyrábět paměťové čipy pomocí 20nm i 10nm výrobního procesu, zatímco u konvenčních NAND flash čipů se očekává, že hranice, pod níž by nemělo být možné jít, je 30 nm.
Zdroj: AIST, Nanowerk
