Ale o to přece nejde - ty základní struktury jsou vyrobené "klasicky" a nikdo netvrdil, že jsou něčím "nej".
Jde o to uhlíkové vlákno, které je mezi nimi natažené.A až se časem tahle technologie vypiluje, třeba už se busou obvody místo leptání na křemíkové podložce "štrikovat" z těch vláken. A protože to půjde dělat ve 3D, jsuo možnosti miniaturizace skoro neomezené.
Třeba jenom jako ROM. Na ty se používá :
- technologie EPROM : náboj je uvězněný na izolovaním hradle. Programování se dělá pomocí řízeného průrazu (náboj překoná bariéru okolního izolantu), mazání se dělá pomocí UV záření (zvýší vodivost okolí a náboj vyprchá). Nevýhodou je velká plocha zabraná jednou buňkou, choulostivost na záření a teplotu ..
- technologie EEPROM : (typické použití - FLASH paměti). Jako EPROM, ale "izolované" hradlo je velice blízo řífícímu, takže je možné řízenými průrazy nabíjet i vybíjet. Nevýhody jako u EPROM
- technologie PROM : informace je uložena v tenkých kovových drátcích. Pokud zůstává, je tam log.0, pokud se přepálí (a to doslova), je tam 1. Výhodou je stálost a odolnost proti vnějším vlivům, nevýhodou velmi velké rozměry "buňky", nemožnost přeprogramování
- a teď uhlíková vlákna : Pokud by se z nich sestavila analogie PROM paměti, pak zůstane nevýhoda "nemožnost přeprogramoování". Což ale nemusí vadit - při nasazení do sériové výroby je to spíš výhoda. Ale oproti klasické PROM bude na programování potřeba mnohem menší energie. A hlavně to bude proklatě menší !