Organizace JEDEC včera zveřejnila specifikace nových pamětí HBM3. Ty se stanou základem nové generace především výpočetních karet, v běžných spotřebitelských grafikách se již technologie HBM kvůli vyšší ceně moc neobjevuje.
HBM3 zůstává u 1024bitového rozhraní, ale zdvojnásobuje propustnost na pin na 6,4 Gb/s. Jeden čip tak nabídne celkově až 819 GB/s, při zapojení čtyř čipů to bude bezmála 3,3 TB/s. Jiné paměťové technologie toho zatím nedosahují.
Samsung dolaďuje nové 27Gb/s čipy GDDR6, které na 256bitové rozhraní nabídnou propustnost až 864 GB/s. Micron chystá 1TB/s modely GDDR6X. Apple u SoC M1 Max spojil osm kanálů LPDDR5-6400, čímž propustnost zvýšil na 400 GB/s.
Specifikace HBM
| |
HBM |
HBM2v1 |
HBM2v2 |
HBM2v3 |
HBM3 |
| kapacita vrstvy |
2 Gb |
8 Gb |
16 Gb |
16 Gb |
32 Gb |
| max. počet vrstev |
4 |
8 |
12 |
12 |
16 |
| max. kapacita čipu |
1 GB |
8 GB |
24 GB |
24 GB |
64 GB |
| max. propustnost čipu |
128 GB/s |
256 GB/s |
307 GB/s |
410 GB/s |
819 GB/s |
Paměti typu HBM3 nebudou jen rychlejší, ale také větší. Specifikace počítají s kapacitou až 32 Gb/s na vrstvu a těch může být nově až 16. Jeden čip tak může mít celkově až 64 GB. JEDEC ale upozorňuje, že první vyráběné moduly budou 24GB (dvanáct 16Gb vrstev). Oproti předchozí generaci se také zavádí integrovaná ECC přímo na čipech pro vyšší spolehlivost a snižuje se provozní napětí z 1,2 na 1,1 V.
S HBM3 již počítají SK Hynix a Micron, ale Samsung se zatím k jejich výrobě nevyjádřil.
