Test DDR2 s nižším časováním: frekvence nebo časování

V dnešním testu srovnáme osm 2GB kitů DDR2-800 s nízkým časováním od GeIL, OCZ, Kingston, A-DATA, Corsair či G.Skill.

Pro většinu dnešních aplikací si bez jakýchkoli problémů vystačíte se dvěma gigabajty operační paměti. Jak však tyto moduly mají být rychlé a co jejich rychlost ovlivňuje?

Pokud se podíváte do ceníků prodejců pamětí, zjistíte, že cenový rozdíl mezi 800MHz moduly je v mnoha případech téměř zanedbatelný. Cenu však zvyšuje nejen použití tzv. heat spreaderu, nebo-li rozvaděče tepla z paměťových čipů, ale i časování. Logicky tak následuje otázka, jestli se vyplatí koupit paměti s nižším časováním nebo vyšší frekvencí. Odpověď není bohužel tak jednoznačná, jak by se mohlo zdát. Paměti pracující na frekvenci 800 MHz s nízkým časováním lze většinou velmi dobře přetaktovat – můžete si být téměř jisti, že stabilně poběží i na 1 066 MHz. Na druhou stranu, pokud se rozhodnete je ponechat na základní frekvenci, podají téměř stejný výkon, jako moduly na frekvenci 1 066 MHz s horším časováním. Více možná napoví některé grafy.

Základní frekvence a hry

pameti0.png 

Výsledky ve hrách nejsou velkou měrou ovlivňovány rychlostí paměťových modulů ani jejich časováním. Pokud jste vášniví hráči, jistě budete taktovat většinu komponent v počítači za účelem co nejplynulejšího chodu her. I z tohoto grafu je však patrné, že 800MHz paměti G.Skill s časováním 4-4-4-12 jsou ve výsledcích zhruba uprostřed mezi dvojicí testovaných Patriotů.

Přetaktování a hry

pameti2.png 

Vlivem přetaktování jednotlivých modulů se poměrně srovnal celkový výsledek – paměti jsou nyní taktovány na téměř stejné frekvence a stejné časování. Pokud tedy koupíte kvalitnější paměti s úmyslem je přetatovat, výhodu nízkého časovaní ztratíte. Rozdíl mezi přetaktovanou pamětí G.Skill a nepřetaktovaným 1 066 MHz Patriotem byl však stále trochu znát.

Základní frekvence a aplikace

pameti3.png 

Na rozdíl od herních testů můžeme u aplikací pozorovat změnu mezi jednotlivými dvojicemi modulů. Hned u paměťového testu v PCMarku05 je výsledný rozdíl mezi prvním a posledním nezanedbatelných 200 bodů. Dalším velmi zajímavým jevem je vliv časování a frekvence na latenci pamětí. Paměť o frekvenci 800 MHz a časováním 4-4-4-12 dosáhla nižší latence, než moduly taktované na 1 066 MHz s časováním 5-5-5-12. Největší rozdíl ve výkonu pamětí ukazuje test v programu WinRar 3.70, kde je zcela zřetelně ukázán rozdíl mezi jednotlivými frekvencemi.

Přetaktování a aplikace

pameti4.png 

Přetaktováním modulů, stejně jako ve hrách, srovnáte jejich výsledky s ostatními kolegy. Skóre už záleží jen na výsledné frekvenci. O mírné překvapení se postaraly paměti G.Skill, které v některých testech opakovaně překonaly výše taktované moduly. Vděčí za to nižší latenci.

Jak to tedy je?

Pokud zvažujete koupi nových pamětí z řad DDR2 a nemáte přitom hluboko do kapsy, vyberte si dle získaného bodového ohodnocení favorita své finanční kategorie. S žádným modulem z tohoto testu určitě nešlápnete vedle. Jestliže máte navíc základní desku uzpůsobenou k přetaktování, klidně jim dejte patřičně zabrat; odmění se vám vyšším výkonem. Přesto bychom však než nižší latenci dali přednost vyšší hodnotě frekvence už z toho důvodu, že vyšší rozpětí frekvence můžete využít například u procesorů z řady Core 2 Duo, které mají vysoké FSB a bez desky podporující tzv. oddělené (unlinked) taktování pamětí a procesoru byste s málo výkonnými paměťmi nedosáhli uspokojivého výsledku.

Slovníček

CAS Latency (tCL) – vyjadřuje zpoždění mezi příchodem a vybavením požadavku od procesoru
Internal Write to Read Command Delay (tWTR) – zpoždění, které je nutné zajistit mezi zápisem a vydáním příkazu pro čtení z paměti
paměťová banka – moderní paměťové čipy jsou rozděleny na části, kterým se říká banky. Každé datové bance je pak přiřazena jiná datová zóna 
RAS to CAS delay (tRCD) – udává zpoždění vzniklé výběrem řádků a adresací sloupce paměti
RAS precharge (tRP) – určuje zpoždění při adresaci jednotlivých řádků v paměti
Refresh interval (tREF) – definuje dobu mezi aktualizací dočasně uložených dat v paměti
Row Active Time (tRAS) – udává dobu trvání přístupu k jednotlivým řádkům paměťového prostoru
Row Active to Row Active Delay (tRRD) – minimální prodleva mezi přechody aktivních paměťových bank
Row Cycle Time (tRC) – specifikuje čas mezi dvěma příkazy tRAS (tRAS + tRP)
Write Recovery Time (tWR) – nastavuje dobu, která musí uplynout po zadání zápisu před tím, než vydáme příkaz Row Precharge

Témata článku: , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,