Samsung začal vyrábět paměti DDR4 s kapacitou 128 GB v jednom modulu

Společnost Samsung vydala oficiální zprávu, že začala hromadně vyrábět novou generaci operačních pamětí DDR4, které mají kapacitu 128 GB v rámci jednoho modulu.

Nové 128GB moduly pamětí DDR4 (DRAM) používají čipy s technologií 3D TSV (vertikální spojení vrstvených čipů), kterých je na jednom modulu 144 v rámci 36 sdružených čipů. Každý čip má tak kapacitu 4 GB.

semi_Main.jpg
Nové operační paměti DDR4 s kapacitou 128 GB na jednom modulu od Samsungu

Samsung u těchto pamětí spoléhá na 20nm technologii a nabízí rychlost až 2 400 Mb/s. Oproti starší generaci bylo dosaženo o 50 % nižší spotřeby, což se hodí především u serverů, pro které jsou nové paměti určené. V následujících měsících můžeme očekávat i rychlejší moduly - 2 667 Mb/s a 3 200 Mb/s. Samsung také plánuje nasazení technologie TSV i pro hybridní složené paměti HBM, které už budou v druhé generaci například u grafických karet od Nvidie i AMD pro rok 2016.

Diskuze (30) Další článek: Prozeta virtuální datacentrum

Témata článku: , , , , , , , , , , , ,