45nm CMOS ma izolacnu vrstvu o hrubke 5 molekul SIO2, dlzka izolacnej vrstvy na jednom tranzistore je asi 200 molekul SiO2
32nm CMOS ma izolacnu vrstvu o hrubke 2 molekul SIO2 dlzka izolacnej vrstvy na jednom tranzistore je asi 144 molekul SiO2
22nm CMOS ma izolacnu vrstvu o hrubke 1 molekuly SIO2 dlzka izolacnej vrstvy na jednom tranzistore je asi 100 molekul SiO2